JCP-450高真空三靶共溅射沉积镀膜设备

主要功能及特色
   该设备具有多靶磁控溅射功能,标配2只4inch磁控靶,预留1对蒸发电极,能够溅射蒸发两用;溅射靶采用波纹管结构,方便调整角度;溅射靶中频电源溅射取代传统直流溅射,改善靶的电弧放电及“中毒”现象。 该设备主要用来开发纳米级单层及多层的导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性材料等,基片台加负偏压可实现基片反溅清洗功能。
样本检测注意事项
     1、 开仪器总电源前一定要先打开循环水泵。
     2、 腔室真空度在10的负一次帕以下才能打开分子泵。
     3、 分子泵运行结束后才能停止运行机械泵。
     4、 仪器运行期间注意排风设施。
     5、 仪器使用为高压电源,高压危险!
设备放置地点
     工业生态楼D108
设备负责人
      姓名:高培峰
      联系方式:010-81381282
                      sscgpf@bit.edu.cn
收费标准
      校内:80元/小时
      校外:150元/小时


审核:高培峰


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